Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Реферативна база даних (15) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Лашкарев Г$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Лашкарев Г. В. Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, М. В. Радченко, М. Э. Бугаева, В. Кнофф, Т. Стори, Я. А. Стельмах, Л. А. Крушинская, А. И. Дмитриев, В. И. Лазоренко, В. И. Сичковский // Физика низких температур. - 2013. - Т. 39, № 1. - С. 86-97. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2013_39_1_14 Рассмотрены физические свойства ферромагнитных магниторазведенных полупроводников и нанокомпозитов в широком интервале температур 5 - 300 К. Последние имеют ряд преимуществ как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой для датчиков слабых магнитных полей. Характерной особенностью ферромагнитных нанокомпозитов является наличие туннельной спин-зависимой проводимости, приводящей к появлению отрицательного и положительного магнитосопротивления. Рассмотренные магниторезистивные эффекты имеют широкий спектр применения. В частности, на основе материалов, в которых наблюдаются такие эффекты, могут быть созданы магниторезистивные запоминающие устройства, сенсоры слабых магнитных полей, медицинские диагностические устройства и другие элементы электронной техники. | ||
| 2. |
Лашкарев Г. В. Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, И. И. Штеплюк, А. И. Евтушенко, О. Ю. Хижун, В. В. Картузов, Л. И. Овсянникова, В. А. Карпина, Д. В. Миронюк, В. В. Хомяк, В. Н. Ткач // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 2. - С. 169-184. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_2_11 Рассмотрены свойства материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективных для применений в оптоэлектронике, наноплазмонике и фотовольтаике. Изучены структурные и оптические свойства пленок твердых растворов (ТР) Zn1-xCdxO с различным содержанием кадмия, полученных методом магнетронного распыления на сапфировых подложках. Спектры низкотемпературной фотолюминесценции выявили присутствие пиков, связанных с процессами излучательной рекомбинации в областях пленки с различным содержанием кадмия. Рентгенофазовый анализ обнаружил в пленках наличие фазы кубического оксида кадмия. Теоретическое исследование термодинамических свойств ТР позволило качественно интерпретировать наблюдаемые экспериментальные явления. Установлено, что рост пленки гомогенного ТР возможен только при высоких температурах, а область негомогенных составов может быть сужена вследствие упругой деформации, вызванной несоответствием периодов решеток пленка - подложка. Выявлены движущие силы спинодального распада системы Zn1-xCdxO. Фуллереноподобные кластеры Znn-xCdxOn использованы для расчета ширины запрещенной зоны и энергии когезии ТР ZnCdO. Рассмотрены свойства прозрачных электропроводных пленок ZnO, легированных донорными примесями III группы (Al, Ga, In). Показано, что за центры ловушек для дырок в процессах фотопроводимости в оксиде цинка отвечают вакансии кислорода. Рассмотрены особенности фотолюминесценции нанокомпозитных систем металл - ZnO, обусловленные поверхностными плазмонами. | ||
| 3. |
Лашкарев Г. В. Свойства оксида цинка при низких и средних температурах [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, В. А. Карпина, В. И. Лазоренко, А. И. Евтушенко, И. И. Штеплюк, В. Д. Храновский // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 3. - С. 289-300. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_3_10 Рассмотрены свойства оксида цинка как аналога нитрида галлия в широком диапазоне температур и области его перспективных применений. Отмечены экономические и экологические преимущества, а также радиационная стойкость ZnO по сравнению с нитридами III группы. Предложены способы выращивания пленок и наноструктур с высоким совершенством кристаллической структуры. В частности, реализован магнетронный метод послойного роста пленок, позволяющий достичь их высокого структурного совершенства и значительных толщин, недоступных для некоторых других методов. Показана возможность получения монохроматического УФ излучения при возбуждении пленок коротковолновым излучением и электронами, что дает возможность использовать их в источниках коротковолнового излучения. Продемонстрирована эффективная полевая эмиссия наноструктур и пленок ZnO, открывающая перспективу их применения в устройствах вакуумной микроэлектроники. На основе пленок ZnO, легированных азотом, изготовлен, в частности, фототранзистор, позволяющий увеличить фоточувствительность на два порядка по сравнению с обычными детекторами. Рассмотрены физические основы создания светодиодов разного цвета свечения на основе пленок оксида цинка и его твердых растворов с CdO. Отмечена важность исследований физики и технологии приборов на основе оксида цинка. | ||
| 4. |
Лашкарев Г. В. Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, В. А. Карпина, Л. И. Овсянникова, В. В. Картузов, Н. В. Дранчук, М. Годлевский, Р. Петрушка, В. B. Хомяк, Л. И. Петросян // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 4. - С. 643-648. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_4_18 Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77 - 300 K, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1 - 7 ат. % алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения. | ||
| 5. |
Лашкарев Г. В. Нетривиальные явления в магнитных нанокомпозитах Co/Al2O3 и Co/SiO2 [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, М. В. Радченко, А. Е. Байбара, М. Е. Бугаева, Л. И. Петросян, Y. Dumond, T. Story, W. Knoff, N. Nedelko, A. Ślawska-Waniewska, M. Foltyn, Я. А. Стельмах, Л. А. Крушинская // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, № 2. - С. 263-269. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_2_17 Магнітні нанокомпозити (МНК), в яких наночастинки феромагнітних металів розподілені у широкозонній діелектричній матриці (Al | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |